2024年8月29日上午，德国法兰克福大学的Hartmut G. Roskos教授和Fanqi Meng研究员于分别做客“携手电气精英，与未来同行”系列讲座第554期和第555期，在电气大楼B302会议室为师生们带来了关于太赫兹器件与应用的专题讲座。本次来访是应学院应用电磁工程研究所曹磊副教授邀请。

Hartmut G. Roskos教授是德国法兰克福大学的博士研究生导师，拥有德国慕尼黑工业大学的博士学位。自2022年以来，他一直名列斯坦福大学科学领域榜单中全球前2%引用次数最多的科学家。Roskos教授领导的德国法兰克福大学物理学研究所的超快光谱和太赫兹物理小组，研究方向涵盖固态材料的时间分辨光谱、太赫兹超材料的光物质强耦合、超材料传感器的开发、太赫兹探测器TeraFET（包括石墨烯FET）以及相干辐射谐振隧穿二极管阵列太赫兹源、太赫兹全息成像与深度学习在太赫兹成像中的应用。迄今为止，Roskos教授已发表470余篇论文，其中430余篇被SCI收录，总引用次数超过10000次。

Fanqi Meng研究员是德国法兰克福大学的高级研究员，拥有法国巴黎萨克雷大学的博士学位，主要研究方向为太赫兹波产生、调控与应用。在基础研究方面，他专注于探索太赫兹频段光与物质的强相互作用；在应用研究方面，他致力于研发超灵敏的超材料传感器，并开发了基于半导体器件的紧凑型高功率太赫兹源。Fanqi Meng研究员在各类知名国际期刊上发表了30余篇论文，主持和参与了多个德国DFG项目。

本次学术报告会由曹磊副教授主持。参会的还有应用电磁工程研究所樊明武教授、电气学院副院长方家琨教授、于克训教授、谭萍研究员、肖后秀教授、陈曲珊副教授以及50余名硕博研究生。

Hartmut G. Roskos教授的报告题目为《THz Holographic Imaging: Emergent Opportunities by Hardware Developments and Deep Learning》。他围绕太赫兹成像的应用，详细讲解了最新的理论进展与相关实验测量结果，重点分析了太赫兹全息成像的原理和研究进展，并展示了其研究小组的最新成果。

Fanqi Meng研究员的报告题目为《Filling the Terahertz Gap: High-power Terahertz Emission from Resonant-tunneling-diode (RTD) Oscillator Arrays》。他围绕高功率太赫兹源的研发，介绍了最新的理论进展，分析了仿真设计与相关实验测量结果，重点讲述了共振隧穿二极管（RTD）振荡器阵列的原理和研究进展，并展示了他最新的研究成果。

在报告后的交流环节，多位师生与Hartmut G. Roskos教授和Fanqi Meng研究员就太赫兹全息成像、高功率太赫兹源以及RTD阵列设计等相关技术问题进行了深入讨论。

报告会后，曹磊副教授介绍了电气学院的基本情况，并就未来在太赫兹领域的合作事宜与两位专家进行了深入的交流和探讨。

29日下午，两位专家还参观了应用电磁工程研究所的太赫兹实验室以及国家脉冲强磁场中心。